--------[ SPD ]---------------------------------------------------------------------------------------------------------
[ DIMM1: Hynix HYMP125U64CP8-S6 ]
Свойства модуля памяти:
Имя модуля Hynix HYMP125U64CP8-S6
Серийный номер 3D6381C3h (3280036669)
Дата выпуска Неделя 51 / 2010
Размер модуля 2 Гб (2 ranks, 8 banks)
Тип модуля Unbuffered DIMM
Тип памяти DDR2 SDRAM
Скорость памяти DDR2-800 (400 МГц)
Ширина модуля 64 bit
Вольтаж модуля SSTL 1.8
Метод обнаружения ошибок Нет
Частота регенерации Сокращено (7.8 us), Self-Refresh
Тайминги памяти:
@ 400 МГц 6-6-6-18 (CL-RCD-RP-RAS) / 24-51-3-6-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 333 МГц 5-5-5-15 (CL-RCD-RP-RAS) / 20-43-3-5-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 266 МГц 4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS) / 16-34-2-4-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
Функции модуля памяти:
Analysis Probe Нет
FET Switch External Запрещено
Weak Driver Поддерживается
Производитель модуля памяти:
Фирма Hynix Semiconductor Inc.
Информация о продукте
http://www.hynix.com/gl/products/comput ... g_info.jsp
[ DIMM2: Samsung M3 78T5663EH3-CF7 ]
Свойства модуля памяти:
Имя модуля Samsung M3 78T5663EH3-CF7
Серийный номер 96B35731h (827831190)
Дата выпуска Неделя 7 / 2010
Размер модуля 2 Гб (2 ranks, 8 banks)
Тип модуля Unbuffered DIMM
Тип памяти DDR2 SDRAM
Скорость памяти DDR2-800 (400 МГц)
Ширина модуля 64 bit
Вольтаж модуля SSTL 1.8
Метод обнаружения ошибок Нет
Частота регенерации Сокращено (7.8 us), Self-Refresh
Тайминги памяти:
@ 400 МГц 6-6-6-18 (CL-RCD-RP-RAS) / 24-51-3-6-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 333 МГц 5-5-5-15 (CL-RCD-RP-RAS) / 20-43-3-5-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 266 МГц 4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS) / 16-34-2-4-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
Функции модуля памяти:
Analysis Probe Нет
FET Switch External Запрещено
Weak Driver Поддерживается
Производитель модуля памяти:
Фирма Samsung
Информация о продукте
http://www.samsung.com/global/business/semiconductor
[ DIMM3: Hynix HYMP112U64CP8-S5 ]
Свойства модуля памяти:
Имя модуля Hynix HYMP112U64CP8-S5
Серийный номер 0000200Eh (236978176)
Дата выпуска Неделя 2 / 2008
Размер модуля 1 Гб (1 rank, 8 banks)
Тип модуля Unbuffered DIMM
Тип памяти DDR2 SDRAM
Скорость памяти DDR2-800 (400 МГц)
Ширина модуля 64 bit
Вольтаж модуля SSTL 1.8
Метод обнаружения ошибок Нет
Частота регенерации Сокращено (7.8 us), Self-Refresh
Тайминги памяти:
@ 400 МГц 5-5-5-18 (CL-RCD-RP-RAS) / 23-51-3-6-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 266 МГц 4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS) / 16-34-2-4-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 200 МГц 3-3-3-9 (CL-RCD-RP-RAS) / 12-26-2-3-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)