--------[ SPD ]---------------------------------------------------------------------------------------------------------
  [ DIMM1: Hynix HYMP125U64CP8-S6 ]
    Свойства модуля памяти:
      Имя модуля                                        Hynix HYMP125U64CP8-S6
      Серийный номер                                    3D6381C3h (3280036669)
      Дата выпуска                                      Неделя 51 / 2010
      Размер модуля                                     2 Гб (2 ranks, 8 banks)
      Тип модуля                                        Unbuffered DIMM
      Тип памяти                                        DDR2 SDRAM
      Скорость памяти                                   DDR2-800 (400 МГц)
      Ширина модуля                                     64 bit
      Вольтаж модуля                                    SSTL 1.8
      Метод обнаружения ошибок                          Нет
      Частота регенерации                               Сокращено (7.8 us), Self-Refresh
    Тайминги памяти:
      @ 400 МГц                                         6-6-6-18  (CL-RCD-RP-RAS) / 24-51-3-6-3-3  (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
      @ 333 МГц                                         5-5-5-15  (CL-RCD-RP-RAS) / 20-43-3-5-3-3  (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
      @ 266 МГц                                         4-4-4-12  (CL-RCD-RP-RAS) / 16-34-2-4-2-2  (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
    Функции модуля памяти:
      Analysis Probe                                    Нет
      FET Switch External                               Запрещено
      Weak Driver                                       Поддерживается
    Производитель модуля памяти:
      Фирма                                             Hynix Semiconductor Inc.
      Информация о продукте                             
http://www.hynix.com/gl/products/comput ... g_info.jsp
  [ DIMM2: Samsung M3 78T5663EH3-CF7 ]
    Свойства модуля памяти:
      Имя модуля                                        Samsung M3 78T5663EH3-CF7
      Серийный номер                                    96B35731h (827831190)
      Дата выпуска                                      Неделя 7 / 2010
      Размер модуля                                     2 Гб (2 ranks, 8 banks)
      Тип модуля                                        Unbuffered DIMM
      Тип памяти                                        DDR2 SDRAM
      Скорость памяти                                   DDR2-800 (400 МГц)
      Ширина модуля                                     64 bit
      Вольтаж модуля                                    SSTL 1.8
      Метод обнаружения ошибок                          Нет
      Частота регенерации                               Сокращено (7.8 us), Self-Refresh
    Тайминги памяти:
      @ 400 МГц                                         6-6-6-18  (CL-RCD-RP-RAS) / 24-51-3-6-3-3  (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
      @ 333 МГц                                         5-5-5-15  (CL-RCD-RP-RAS) / 20-43-3-5-3-3  (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
      @ 266 МГц                                         4-4-4-12  (CL-RCD-RP-RAS) / 16-34-2-4-2-2  (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
    Функции модуля памяти:
      Analysis Probe                                    Нет
      FET Switch External                               Запрещено
      Weak Driver                                       Поддерживается
    Производитель модуля памяти:
      Фирма                                             Samsung
      Информация о продукте                             
http://www.samsung.com/global/business/semiconductor
  [ DIMM3: Hynix HYMP112U64CP8-S5 ]
    Свойства модуля памяти:
      Имя модуля                                        Hynix HYMP112U64CP8-S5
      Серийный номер                                    0000200Eh (236978176)
      Дата выпуска                                      Неделя 2 / 2008
      Размер модуля                                     1 Гб (1 rank, 8 banks)
      Тип модуля                                        Unbuffered DIMM
      Тип памяти                                        DDR2 SDRAM
      Скорость памяти                                   DDR2-800 (400 МГц)
      Ширина модуля                                     64 bit
      Вольтаж модуля                                    SSTL 1.8
      Метод обнаружения ошибок                          Нет
      Частота регенерации                               Сокращено (7.8 us), Self-Refresh
    Тайминги памяти:
      @ 400 МГц                                         5-5-5-18  (CL-RCD-RP-RAS) / 23-51-3-6-3-3  (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
      @ 266 МГц                                         4-4-4-12  (CL-RCD-RP-RAS) / 16-34-2-4-2-2  (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
      @ 200 МГц                                         3-3-3-9  (CL-RCD-RP-RAS) / 12-26-2-3-2-2  (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)